Hspice 로는 transient, ac, dc anlaysis 등을 simulation 할 수 있습니다.
기존에 transient simulation 을 하는 법을 간단하게 다뤄보았습니다.
Hspice 로 DC analysis 를 하는 법에 대해 다뤄보겠습니다.
Hspice simulation - DC analysis of an inverter
가장 간단한 위와 같은 inverter 의 DC anlaysis 를 해봅시다.
nmos 인 M1, pmos 인 M2 그리고 input voltage 와 0.75pF 의 load cap 으로 이루어진 회로입니다.
위와 같은 회로를 simulation 하기 위한 input sp 는 아래와 같습니다.
m1 out in vcc vcc pch l=1u w=20u
m2 out in 0 0 nch l=1u w=20u
vcc vcc 0 5
vin vin 0 0 pulse 0.2 4.8 2n 1n 1n 5n 20n
cload out 0 0.75p
.model pch pmos level=1
.model nch nmos level=1
.dc vin 0 5 0.1
.print dc v(in) v(out)
.end
m1 과 m2 는 각각 라이브러리에 존재하는 nch 와 pch mosfet을 사용한 겁니다.
Gate, Drain, Source 와 length, width 를 정의해줘야 하죠.
그 후 input 전압과 load cap 을 정의해주고 .dc 로 dc anlaysis 를 수행하면 됩니다.
위에 vin 이 pulse 형태로 정의되어 있더라도 .dc vin 0 5 0.1 로 0~5V 까지 0.1V step 으로 sweep 했기 때문에
Vin sweep 한 dc analysis 가 수행됩니다.
위와 같은 그래프가 출력으로 나오게 됩니다.
input voltage 인 Vin 이 0~5V 까지 sweep 되고 각 point 에 따른 Vout 전압이 나타납니다.
이를 VTS, Voltage Transfer Characteristic 이라고 합니다.
위와 같은 형태로 sweep 은 비단 voltage 뿐만 아니라 저항, temperature 등 수많은 변수를
sweep 하여 그에 따른 dc analysis 가 가능합니다.
이상입니다.
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