High frequency, 즉 고속으로 MOSFET 을 동작시킬 때 중요하게 고려해야 하는 것이 있는데요. 바로 MOSFET 의 parasitic cap 입니다. MOSFET 은 p-substrate/n-substrate 위에 doping 해서 만드는 특성 상 불가피하게 pn junction 으로 인한 parasitic cap 이 생깁니다. 이는 MOSFET 의 length 와 width 에 dependent 하게 생기죠. 위는 MOSFET 의 단면도입니다. 단면도에서 보면 p-sub 과 n+ doping 간의 p-n junction 부분에서 parasitic cap 이 생기는 것을 볼 수 있습니다. 또한 n+ 와 p+ 채널이 생기게 되면 채널과 p-sub 간에도 parasitic cap 이 생기게 되..